レーザーリフロー式チップ搭載装置 LAPLACE特長・メリット

Laser加熱によるChip実装方法には様々な特徴・メリットがございます。

Laser 工程 vs. Thermal工程

  • 高速リフロー
  • Thernal bondingやリフローオーブンと比べて短時間が可能
  • 短時間Pulseによりハンダ接合時に熱ストレス最小化可能
  • Chip/部品の片面浮きを回避可能

25umピッチの無電解微細UBMを用いた接続抵抗測定 *高温放置(150℃@1000hr)での接続抵抗推移

ハンダ溶融工程比較

- 表面実装/ Reflow 230 - 250 C 60 - 180 sec (minutes)
- Thermal 工程 250 - 300 C 1 - 10 sec (seconds)
- Laser 工程 250 - 600 C 0.01-0.2 sec (milliseconds)

LAPLACE Laserの面内熱均一性

通常のレーザー

均一化されたレーザー

精度の高い温度管理

項目 仕様
レーザー 9xx nm
対応チップサイズ サイズ:0.5 - 20mm、厚さ:80-760μm ※20mm以上は要相談
対応基板サイズ 50×50mm-300×300mm
ボンドツール セラミック製(個別設計)
ボンディングフォース 30kg max
XY軸駆動 Gantry System (Linear motor system)
搭載精度 ±20μm(X,Y,Z) ±10μm ,5μm,2.5μm (オプション)
搭載時間 5 sec/chip、UPH720   (±3μm精度時)
1 sec/chip、UPH3600  (±20μm精度時)

最少の熱ストレス

Laserにより部分的に加熱をするため、デバイス全体に熱ストレスをかけることなく実装が可能です。

高いスループット

LaserはThermal Compressionと比べて昇温・降温が速いため、高いスループットを実現可能です。

高い位置制御

部分的な加熱により、デバイスの膨張が無く、高い位置精度で実装が可能です。

ビーム形状と均一化

  • PacTechは光学ビーム変調技術を20年以上開発し続けています
  • "Force Alighnment”により高い精度に位置決め
  • Laserビーム形状をフレキシブルに変更可能
  • 最大20x20mm²の照射が可能 ※ 20x20mm²以上は要相談

Laplace技術の優位性

  • Laserにより局所加熱可能
  • ボンディングエリア外はいっさい加熱無
  • 基板や接合部において低ストレス
  • Laserによる短時間加熱が過剰加熱を防ぐ
  • 膨張による反りが発生しない
  • 基板全体の加熱が無い
  • 熱に敏感な基板や線膨張係数差の大きい基板の実装が可能
  • 高い実装精度
  • 様々な基板への実装が可能 (FR4、エポキシ、ポリイミド、セラミックス など)
  • 様々な金属膜への実装が可能 (Cu、NiAu、Sn、Au、NiAu など)
お問い合わせ
エレクトロニクス事業部 グローバル技術開発チーム

情報通信・エネルギー事業室 PacTechサイト