レーザーリフロー式チップ搭載装置 LAPLACE製品ラインナップ

用途やニーズに合わせて、多種多様な装置をご用意しています。

LAPLACE-Can

プローブカード組み立てを対象としたMEMSカンチレバー実装のためのレーザーアシストボンダー。

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LAPLACE-VC

基板に対しチップを立てた状態での垂直実装が可能なレーザーアシストボンダー。

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LAPLACE-CanとLAPLACE-VCの比較

item LAPLACE-Can LAPLACE-VC
サイズ 1520 x 1100 x 1890 mm 1520 x 1100 x 1890 mm
可動エリア Work area: 330 x 330 mm
Substrate size: up to 500 x 500 mm
Work area: 330 x 330 mm
Substrate size: up to 500 x 500 mm
サイクルタイム ≥ 7 sec / pin ≥ 10 sec / chip
実装精度 Placement: +/- 3.5 μm (3 sigma)
Hump tilt: +/- 3 μm
Height control: +/- 4 μm
'+/- 3 μm (1 sigma)
ツール カスタムボンドツール カスタムボンドツール
チップハンドリング Waffle Pack / Probe Wafer Waffle Pack / Wafer
基板ハンドリング マニュアル / オート マニュアル / オート
製品搬送 マニュアル / オート マニュアル / オート
Pattern Recognition
2D用途 - -
3D用途
チップリペア オプション -
アプリケーション Probecards, DRAM,
flash memory, NAND
Memory chips, diode (photodiode,
LED, μLED), MEMS (sensors,gyroscopes, etc.)

LAPLACE-FC / LAPLACE-GENESIS

フリップチップ実装のための統合的なレーザーアシストボンディングシステム。

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LAPLACE-FCとLAPLACE-GENESISの比較

item LAPLACE-FC LAPLACE-GENESIS
サイズ 1500 x 1200 x 2200 mm
可動エリア 320 x 320 mm
サイクルタイム ≥ 5 sec / chip
実装精度 +/- 4.5 μm (3 sigma) '+/- 0,5 μm (3 Sigma)
ツール カスタムツール
チップハンドリング Waffle Pack、ダイシングフレーム、テープ&リール
基板ハンドリング マニュアル / オート
製品搬送 マニュアル / オート
Pattern Recognition
2D用途
3D用途 -
チップリペア オプション
アプリケーション Flip Chip, passive components, sensors, MEMS

LAPLACE-FCR

フリップチップ実装、チップリワークを追加リフローや物理的ストレス無で行う事が可能。
本システムはWaferや基板から検出済みの不良チップを吸着ツールを用いて除去いたします。
新たなチップがWaffle Packなどから取り出され、不良箇所に搭載されます。

LAPLACE-HT

ショットキーダイオードやバイパスダイオードなど、太陽電池向けモジュールの組み立てに適したレーザーアシストボンダー。

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Laser Assisted Bonding with LaPlace by PacTech | Advanced Packaging Equipment

お問い合わせ
エレクトロニクス事業部 グローバル技術開発チーム

情報通信・エネルギー事業室 PacTechサイト