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レーザーリフロー式チップ搭載装置 (LAPLACE)

Laser 工程 vs. Thermal工程

25umピッチの無電解微細UBMを用いた接続抵抗測定 *高温放置(150℃@1000hr)での接続抵抗推移

ハンダ溶融工程比較

- 表面実装/ Reflow 230 - 250 C 60 - 180 sec (minutes)
- Thermal 工程 250 - 300 C 1 - 10 sec (seconds)
- Laser 工程 250 - 600 C 0.01-0.2 sec (milliseconds)

LAPLACE Laserの面内熱均一性


通常のレーザー


均一化されたレーザー


精度の高い温度管理

項目 仕様
レーザー 400W max、9xx nm
対応チップサイズ サイズ: □0.5 - 20mm、 厚さ:80-760μm
対応基板サイズ 50×50mm-300×300mm
ボンドツール セラミック製(個別設計)
ボンディングフォース 30kg max
XY軸駆動 Gantry System (Linear motor system)
搭載精度 ±20μm(X,Y,Z) ±10μm ,5μm,2.5μm (オプション)
搭載時間 5 sec/chip、UPH720   (±3μm精度時)
1 sec/chip、UPH3600  (±20μm精度時)